[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910233163.7 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109860369B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;李佳恩;连燕玲;卓昌正;徐宸科;康俊勇;苏住裕 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时，首先对牺牲层进行刻蚀，牺牲层能够吸收激光的能量，作为能量缓冲层和扩散层，避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下，牺牲层被激光灼烧掉，不会存留对半导体发光器件产生影响的残留物，不会对半导体发光器件的性能产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的多个发光结构，所述发光结构之间形成有切割区域；绝缘保护层，形成在所述发光结构的上方以及所述发光结构以外的所述衬底上；牺牲层，形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的所述绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。
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