[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910233163.7 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN109860369B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 钟志白;李佳恩;连燕玲;卓昌正;徐宸科;康俊勇;苏住裕 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/00;H01S5/323
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 陈敏
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体发光器件制备方法包括:提供衬底,在所述衬底上形成多个发光结构,所述发光结构之间包括切割区域;在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层;在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层,所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上,并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时,首先对牺牲层进行刻蚀,牺牲层能够吸收激光的能量,作为能量缓冲层和扩散层,避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下,牺牲层被激光灼烧掉,不会存留对半导体发光器件产生影响的残留物,不会对半导体发光器件的性能产生影响。
搜索关键词: 一种 半导体 发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种半导体发光器件,其特征在于,包括:衬底;形成在所述衬底上的多个发光结构,所述发光结构之间形成有切割区域;绝缘保护层,形成在所述发光结构的上方以及所述发光结构以外的所述衬底上;牺牲层,形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的所述绝缘保护层上,并且沿切割方向延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司,未经厦门市三安光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910233163.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top