[发明专利]一种片上集成电容模型物理参数的提取方法

摘要

本发明提供一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，根据遗传算法，通过设定所要求解的目标物理参数的约束条件、进行初始化种群、适应度选择竞争、种群交叉、种群变异等生物演绎运算操作反复生成新种群并将种群中的最优个体作为候选解，随后通过设置迭代次数、拟合次数，对新种群反复进行生物演绎运算操作得到一候选解组，从候选解组根据选取规则得到结果值，提取结果值的目标物理参数输出。有效解决了现有片上集成电容模型提模过程中效率缓慢以及精度不够问题,改善了求解准确性问题，得到全局最优值，而不是局部最佳值，从而得到高精度高可靠性片上集成电容模型。

主权项

1.一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、设定电容累积误差函数；步骤S2、对待提取的目标物理参数设定上下限约束条件，并设定遗传算法的参数；步骤S3、通过随机数的方式生成复数个所述目标物理参数作为一初始种群的个体，分别将所述个体的值带入所述电容累积误差函数得到所述个体的电容误差值，并根据所述电容误差值作得到所述个体的适应度，遍历得到所述种群中所有所述个体的适应度；步骤S4、对所述种群中的所有个体进行选择、交叉、变异的生物演绎运算操作得到所述种群的最优个体并将所述最优个体作为候选解；步骤S5、判断所述种群的迭代次数是否满足预设的拟合次数，若否，则进行步骤S3；若是，则从所有所述候选解中根据一预设的选取规则选取出一所述候选解作为结果值，提取所述结果值的所述目标物理参数输出。