[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910236722.X | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755513B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底、位于衬底上的栅极结构，位于栅极结构两侧衬底中的源漏掺杂层以及覆盖栅极结构侧壁和源漏掺杂层的层间介质层；在层间介质层中形成露出源漏掺杂层的开口，开口底部包括中心区域和边缘区域；在边缘区域形成第一金属层，在中心区域形成第二金属层，第二金属层的材料扩散能力大于第一金属层的材料扩散能力；对第一金属层和第二金属层进行处理，分别形成第一金属硅化物层和第二金属硅化物层，且第二金属硅化物层的电阻率小于第一金属层硅化物层的电阻率。本发明在源漏掺杂层不易穿通的情况下，降低了源漏掺杂层与后续形成的接触孔插塞的接触电阻，优化了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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