[发明专利]一种防X射线干扰的X射线平板探测器在审
申请号: | 201910240989.6 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN109841642A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 杨志;刘一剑;曾敏;周志华;苏言杰;胡南滔;张亚非 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/12 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 陆黎明 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种防X射线干扰的X射线平板探测器,包括像素矩阵以及外围电路。像素矩阵由薄膜光电二极管和薄膜晶体管开关器件组成,其中薄膜晶体管开关器件上方设置有用于屏蔽X射线的防护层,防护层优选钨金属薄膜。本发明的有益效果:本发明将电子器件优化为带有防护层的器件,有效地降低了高能X射线对器件的影响,减少了器件的噪声干扰,并且提高了器件的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 防护层 薄膜晶体管开关 像素矩阵 防X射线 二极管 高能X射线 薄膜光电 电子器件 使用寿命 外围电路 噪声干扰 钨金属 有效地 屏蔽 优选 薄膜 优化 | ||
【主权项】:
1.一种防X射线干扰的X射线平板探测器,包括像素矩阵以及外围电路,所述像素矩阵由薄膜光电二极管和薄膜晶体管开关器件组成,其特征在于,所述薄膜晶体管开关器件上方设置有用于屏蔽X射线的防护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910240989.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的