[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

提供了一种三维半导体存储器件。所述三维半导体存储器件包括：设置在基底上并且在垂直于基底的表面的方向上堆叠的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构包括彼此间隔地堆叠的栅电极；穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构并被第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构围绕的贯穿区域；以及穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构的垂直沟道结构，其中，第一栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第一接触焊盘，第二栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第二接触焊盘，第二接触焊盘中的至少一部分第二接触焊盘在贯穿区域的一侧与第一接触焊盘交叠。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：/n设置在基底上并在垂直于所述基底的表面的方向上堆叠的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构分别包括在垂直于所述基底的表面的方向上彼此间隔地堆叠的第一栅电极和第二栅电极；/n穿过所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构并被所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构围绕的贯穿区域；以及/n穿过所述第一栅极堆叠结构和所述第二栅极堆叠结构的垂直沟道结构，/n其中，所述第一栅极堆叠结构具有与所述贯穿区域相邻并且被布置成第一阶梯形状的第一接触焊盘，并且所述第二栅极堆叠结构具有与所述贯穿区域相邻并且被布置成第二阶梯形状的第二接触焊盘，并且/n其中，当从所述三维半导体存储器件的俯视图中看时，所述第二接触焊盘中的一部分第二接触焊盘在所述贯穿区域的一侧与所述第一接触焊盘交叠。/n