[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置有效
| 申请号： | 201910244490.2 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109841581B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 贵炳强;刘珂;高涛;黄鹏;李文强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置。其中，薄膜晶体管，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层。上述薄膜晶体管(TFT)中，在有源层与所述基板之间设置有导热性能较优的导热结构，可以使有源层自加热产生的热量被快传地传递至基板进而导出，从而有效避免热量积累，进而可以缓解自加热效应对TFT电特性造成的影响，改善TFT电特性，提高TFT的稳定性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层。
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