[发明专利]氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法在审
| 申请号： | 201910245680.6 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109950307A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 卢益锋;林科闯;邹鹏辉;许若华;刘胜厚;蔡仙清;杨健 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供的氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法，涉及微电子技术领域。其中，氮化镓射频器件包括壳体结构、氮化镓晶体管和阻抗匹配电路。阻抗匹配电路包括导线和至少两个电容，且该阻抗匹配电路的阻抗满足以下预设条件：阻抗匹配电路的基波阻抗的实部与氮化镓晶体管的基波阻抗的实部都为正数，且两个实部之差小于第一预设值，阻抗匹配电路的基波阻抗的虚部与氮化镓晶体管的基波阻抗的虚部中的一个为正数、另一个为负数，且两个虚部之和小于第二预设值，阻抗匹配电路的二次谐波阻抗小于第三预设值。通过上述设置，可以改善现有技术中氮化镓射频器件的有效输出功率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗匹配电路 射频器件 基波阻抗 氮化镓 氮化镓晶体管 实部 虚部 预设 参数确定 阻抗 微电子技术领域 有效输出功率 二次谐波 壳体结构 预设条件 电容 制作 申请 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓射频器件，其特征在于，包括：壳体结构；封装于所述壳体结构的氮化镓晶体管；封装于所述壳体结构的阻抗匹配电路，该阻抗匹配电路包括导线和至少两个电容，各电容的其中一端通过导线依次连接、另一端分别接地，且各电容依次连接后位于首端的电容通过导线与设置于所述壳体结构的输入引脚连接、位于末端的电容通过导线与所述氮化镓晶体管的栅极连接；其中，所述阻抗匹配电路的阻抗满足以下预设条件：所述阻抗匹配电路的基波阻抗的实部与所述氮化镓晶体管的基波阻抗的实部都为正数，且两个实部之差小于第一预设值，所述阻抗匹配电路的基波阻抗的虚部与所述氮化镓晶体管的基波阻抗的虚部中的一个为正数、另一个为负数，且两个虚部之和小于第二预设值，所述阻抗匹配电路的二次谐波阻抗小于第三预设值。
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