[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法有效

专利信息
申请号: 201910246502.5 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN110322923B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 金经纶;吴伦娜;金衡辰;梁熙甲;柳长佑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张军;曾世骁
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括:将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址,所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址;并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 操作 方法
【主权项】:
1.一种替换存储器装置中的存储器块的第一列常规存储器单元中的存储器单元的方法,所述存储器装置包括多个存储器块和至少一个冗余块,所述方法包括:将所述多个存储器块中的第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址,其中,所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址;并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
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