[发明专利]真空腔体漏率监测方法有效
| 申请号： | 201910248787.6 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110017955B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张年亨 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/38 | 分类号： | G01M3/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及真空腔体漏率监测方法，涉及半导体集成电路制造工艺，通过光谱信号侦测器采集半导体制造工艺作业过程中真空腔体内官能基的发射光谱，利用发射光谱信号处理设备得到所述发射光谱的光谱信号强度波形，并通过判断所述光谱信号强度波形在氮气的波长336.5nm附近是否存在五指山状波形段来实现真空腔体漏率监测，该方法能确定无异的判断真空腔体漏率是否异常，且成本较低，不需要半导体制造设备停机就能检测反应腔漏率，不影响产能，因此能持续监控真空腔体漏率。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 体漏率 监测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空腔体漏率监测方法，其特征在于，包括：S1：提供一光谱信号侦测器，利用所述光谱信号侦测器采集半导体制造工艺作业过程中真空腔体内官能基的发射光谱；S2：提供一发射光谱信号处理设备，接收所述发射光谱，并根据所述发射光谱得到所述发射光谱的光谱信号强度波形，所述光谱信号强度波形的横坐标为发射光谱的波长，纵坐标为发射光谱的强度；S3：判断所述光谱信号强度波形在波长为336.5nm处是否存在五指山状波形段，其中所述五指山状波形段为在波长为336.5nm处包括一个光谱信号强度最强的第一波峰，在所述第一波峰的两侧分别包括一个光谱信号强度较所述第一波峰弱的第二波峰和第三波峰，在所述第二波峰和所述第三波峰远离所述第一波峰的位置分别包括一个光谱信号强度较所述第二波峰和所述第三波峰弱的第四波峰和第五波峰；S4：若存在所述五指山状波形段，则认为真空腔体漏率异常，需对半导体制造设备进行维护；以及S5：若不存在所述五指山状波形段，则认为真空腔体漏率正常，并返回步骤S1。
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