[发明专利]电迁移测试结构及其测试方法在审
申请号: | 201910249284.0 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109979918A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 尹彬锋;周逸竹;周柯;高金德 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;G01R31/28 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于集成电路电迁移测试的电迁移测试结构,所述电迁移测试结构包括第一测试结构和第二测试结构;所述第一测试结构和第二测试结构固定连接,所述第一测试结构另一端连接第一测试引线,所述第一测试结构另一端连接第二测试引线;其中,所述第一测试结构的宽度小于第二测试结构的宽度,且5W1≤W2,W1所述第一测试结构的宽度,W2是第二测试结构的宽度。本发明还公开了一种利用上述电迁移测试结构的电迁移测试方法。本发明的电迁移测试结构能遏制电迁移回流现象,还能减少测试结构的面积,同时保证电迁移测试效果。 | ||
搜索关键词: | 测试结构 电迁移测试结构 电迁移测试 测试引线 一端连接 电迁移 集成电路 测试 保证 | ||
【主权项】:
1.一种电迁移测试结构,用于集成电路电迁移测试,所述电迁移测试结构包括第一测试结构(A)和第二测试结构(B);所述第一测试结构(A)和第二测试结构(B)固定连接,所述第一测试结构(A)另一端连接第一测试引线(A1),所述第一测试结构(B)另一端连接第二测试引线(B1);其特征在于:所述第一测试结构(A)的宽度小于第二测试结构(B)的宽度,且5W1≤W2,W1所述第一测试结构(A)的宽度,W2是第二测试结构(B)的宽度。
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