[发明专利]电迁移测试结构及其测试方法在审

专利信息
申请号: 201910249284.0 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN109979918A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 尹彬锋;周逸竹;周柯;高金德 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;G01R31/28
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦天雷
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种用于集成电路电迁移测试的电迁移测试结构,所述电迁移测试结构包括第一测试结构和第二测试结构;所述第一测试结构和第二测试结构固定连接,所述第一测试结构另一端连接第一测试引线,所述第一测试结构另一端连接第二测试引线;其中,所述第一测试结构的宽度小于第二测试结构的宽度,且5W1≤W2,W1所述第一测试结构的宽度,W2是第二测试结构的宽度。本发明还公开了一种利用上述电迁移测试结构的电迁移测试方法。本发明的电迁移测试结构能遏制电迁移回流现象,还能减少测试结构的面积,同时保证电迁移测试效果。
搜索关键词: 测试结构 电迁移测试结构 电迁移测试 测试引线 一端连接 电迁移 集成电路 测试 保证
【主权项】:
1.一种电迁移测试结构,用于集成电路电迁移测试,所述电迁移测试结构包括第一测试结构(A)和第二测试结构(B);所述第一测试结构(A)和第二测试结构(B)固定连接,所述第一测试结构(A)另一端连接第一测试引线(A1),所述第一测试结构(B)另一端连接第二测试引线(B1);其特征在于:所述第一测试结构(A)的宽度小于第二测试结构(B)的宽度,且5W1≤W2,W1所述第一测试结构(A)的宽度,W2是第二测试结构(B)的宽度。
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