[发明专利]存储器及其获取方法、失效定位方法有效
| 申请号： | 201910250753.0 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109935271B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 熊娇;李桂花;李辉;仝金雨;李品欢 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器及其获取方法、失效定位方法，在将存储器芯片暴露至位线上的介质层之后，在介质层上形成两个衬垫，并将双位线失效的两条位线通过电连线分别连接到这两个衬垫上，这样，就单独将这两条失效的位线建立了热点分析的回路，这两个衬垫用于偏置热点分析时的电压，从而，可以抓取到热点，实现双位线失效的快速精确定位。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 获取 方法 失效 定位 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的获取方法，其特征在于，包括：提供存储器芯片，所述存储器芯片包括存储单元阵列，所述存储单元阵列中沿一方向排布的存储单元电连接至一条位线，所述存储器芯片暴露至所述位线上的介质层，所述存储器芯片存在双位线失效；在所述介质层上形成第一衬垫和第二衬垫；通过第一电连线和第二电连线将双位线失效的两条位线分别电连接至所述第一衬垫和所述第二衬垫，所述第一衬垫和所述第二衬垫用于热点分析的电压偏置。
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