[发明专利]进气装置及化学气相沉积设备在审
申请号: | 201910260291.0 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN109881182A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 伍强;翟伟辰;蒋冬冬;李荻;李昕然 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本揭示提供一种进气装置及化学气相沉积设备,包括送气装置、与送气装置相连接的挡板以及气体缓存装置,其中,气体缓存装置还包括节流板与扩散板,节流板上设置有若干气孔,所述节流板与送气装置相靠近的区域上的气孔的孔径小,节流板与送气装置越远离的区域上的气孔的孔径越大,气体通过节流板上不同孔径大小的气孔后,气体变得均匀,在后续沉积成膜时,提高了成膜质量。 | ||
搜索关键词: | 节流板 送气装置 化学气相沉积设备 缓存装置 进气装置 成膜 挡板 气体通过 扩散板 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种进气装置,其特征在于,包括:送气装置、与所述送气装置相连接的挡板以及气体缓存装置;其中,所述气体缓存装置与所述挡板相连接;其中,所述气体缓存装置还包括节流板与扩散板,所述节流板上还设置有多个气孔,所述节流板与所述送气装置越靠近的区域上的所述气孔的孔径越小,所述节流板与所述送气装置越远离的区域上的所述气孔的所述孔径越大;其中,所述扩散板设置在所述气体缓存装置的底部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910260291.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的