[发明专利]半导体互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910262859.2 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111769072A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体互连结构及其制造方法。半导体互连结构制造方法包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括交替层叠的多个介质层和多层晶圆；在所述第一半导体结构中制作垂直相连的第一孔和第二孔，所述第一孔的侧壁露出所述介质层，所述第二孔的侧壁露出所述晶圆，所述第一孔的孔径大于等于所述第二孔的孔径；于所述第一孔和所述第二孔的侧壁沉积绝缘层，使所述绝缘层同时连接所述多个介质层和所述多层晶圆，所述绝缘层的材料与所述介质层的材料相同；于所述绝缘层上进行导电材料填充制程以形成导电结构。本公开提供的半导体互连结构制造方法可以增加半导体结构的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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