[发明专利]一种减少芯片切割边缘崩边的工艺

摘要

本发明公开了一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，涉及晶圆级封装技术领域，该工艺通过在芯片切割前再进行一次固化处理，使芯片在稍低温的条件下，实现背胶和硅片结合充分，同时更加充分释放背胶和硅片的应力，以解决现有技术中未能充分释放芯片材料应力，导致芯片切割时芯片边缘发生裂纹的问题，达到防止芯片切割时芯片边缘发生裂纹问题的效果，以便于芯片后续的切割，方便晶圆级的封装。

主权项

1.一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，其特征在于：所述该工艺主要包括以下步骤：步骤a：下料，选取一片晶圆；步骤b：将晶圆背面覆盖一层背胶，然后在晶圆表面设置硅片，而后在硅片表面设置凸块引脚，以制成芯片；步骤c：将步骤b制成的芯片放入烤箱中，而后将烤箱温度设定为120℃，使芯片在120℃的环境中烘烤两小时，进行一次固化，固化后继续进行植球、激光打标等其他工序；步骤d：将步骤c完成后的芯片再度放入烤箱中，此时烤箱温度设定在90‑100℃之间，时间为一小时，进行二次固化；步骤e：将步骤d固化后的芯片放入切割机中，而后设定程序，并沿着切割道的方向依次进行切割；步骤f：对步骤e切割后的产品进行检验。