[发明专利]一种半导体发光器件有效
| 申请号： | 201910266574.6 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110021691B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 余程;朱立钦;林大铨;杨力勋 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件，包括基板以及基板上的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同侧；其特征在于：第二电连接层包括第一部分和第二部分，第一部分位于绝缘层一侧，第二部分自绝缘层一侧的第一部分延伸穿过绝缘层至第一电连接层同侧，并与第二电极连接，第二电连接层的第二部分未设置在第二电极下方的中心位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括基板以及基板上堆叠的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同侧；其特征在于：第二电连接层包括第一部分和第二部分，第一部分位于绝缘层一侧，第二部分自绝缘层一侧的第一部分延伸穿过绝缘层至第一电连接层同侧，并与第二电极连接，第二电连接层的第二部分未设置在第二电极下方的中心位置。
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