[发明专利]单向陶瓷基复合材料任意应变加卸载本构关系预测方法有效
| 申请号： | 201910270292.3 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109815643B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 高希光;董洪年;宋迎东;张盛;于国强 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F119/14;G16C60/00 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 上官凤栖 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于复合材料应力应变行为预测方法技术领域，涉及一种单向陶瓷基复合材料任意应变加卸载本构关系预测方法，目的在于提供一种能快速预测单向陶瓷基复合材料任意应变加卸载应力应变行为的预测方法。本发明通过将应变表示为正向滑移区长度或反向滑移区长度的二次多项式，推导出了正向滑移区长度及反向滑移区长度的解析式，进而计算得对应的应力。本发明无需多次反复迭代计算，即可实现单向陶瓷基复合材料任意应变加卸载应力应变行为的快速预测。 | ||
| 搜索关键词： | 单向 陶瓷 复合材料 任意 应变 卸载 关系 预测 方法 | ||
【主权项】：
1.单向陶瓷基复合材料任意应变加卸载本构关系预测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：判断复合材料损伤情况；步骤2：计算基体裂纹平均间距；步骤3：假设滑移区分布情况；步骤4：将复合材料的平均应变表示为滑移区长度的函数；步骤5：整理出关于滑移区长度的一元二次方程；步骤6：通过求根公式求出步骤5中的一元二次方程的解，即滑移区长度；步骤7：通过滑移区长度计算出当前应力；步骤8：验证滑移区分布情况。
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