[发明专利]一种阵列基板及其缺陷修补方法有效

专利信息
申请号: 201910270572.4 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN110109303B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 刘梦阳 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种阵列基板及其缺陷修补方法,该阵列基板包括显示区、扇出区及绑定区,扇出区内间隔的设有从显示区内引出的扇出线,扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由金属引线连接至绑定区的端子上;获取扇出区内的扇出线的第一缺陷部的位置信息,并获取第一缺陷部所对应的扇出线;再获取第一缺陷部所对应的扇出线与金属引线之间的第二缺陷部的位置信息,并对第二缺陷部进行镭射熔接,使扇出线与金属引线实现电连接;之后对第一缺陷部存在的金属残留进行镭射切割,使相邻扇出线之间相互绝缘。本申请通过对阵列基板缺陷修补方法的改善,从而解决暗线/区块线等不良现象。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 缺陷 修补 方法
【主权项】:
1.一种阵列基板缺陷修补方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S10,提供一待修补的阵列基板,包括显示区、扇出区及绑定区,所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线,所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上;步骤S20,获取所述扇出区内的所述扇出线的第一缺陷部的位置信息,并获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线;步骤S30,获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线与所述金属引线之间的第二缺陷部的位置信息,并对所述第二缺陷部进行镭射熔接;步骤S40,对所述第一缺陷部进行镭射切割,去除所述第一缺陷部的金属残留。
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