[发明专利]多层配线结构体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910271674.8 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN110349927B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 桑岛一;西川朋永;大塚隆史;大桥武;奥山祐一郎;山谷学 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/535;H01L21/768
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种防止籽晶层的破坏引起通孔导通不良的多层配线结构体,具备:导体图案(P1a),设于配线层(L1)并包含主导体层(13);层间绝缘膜(61),覆盖配线层(L1),具有露出导体图案(P1a)一部分的开口部(61a);导体图案(P2a),设于配线层(L2)并经开口部(61a)与导体图案(P1a)连接。导体图案(P2a)包含与层间绝缘膜(61)相接的籽晶层(21、22)和设于籽晶层(21、22)由与主导体层(13)相同的金属材料构成的主导体层(23)。籽晶层(21、22)在开口部(61a)的底部被部分地除去,由此在开口部(61a)的底部主导体层(13)和主导体层(23)不经籽晶层(21、22)相接。主导体层(13)和主导体层(23)具有直接接触的部分因而通孔不会导通不良。
搜索关键词: 多层 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种多层配线结构体,其特征在于,所述多层配线结构体通过层叠包含第一及第二配线层的多个配线层而成,具备:第一导体图案,其设置于所述第一配线层,包含第一主导体层;层间绝缘膜,其覆盖所述第一配线层,具有使所述第一导体图案的一部分露出的开口部;第二导体图案,其设置于所述第二配线层,经由所述开口部与所述第一导体图案连接,所述第二导体图案包含与所述层间绝缘膜相接的籽晶层和设置于所述籽晶层上且由与所述第一主导体层相同的金属材料构成的第二主导体层,所述籽晶层在所述开口部的底部的至少一部分被除去,由此,在所述开口部的底部的至少一部分,所述第一主导体层和所述第二主导体层不经由所述籽晶层而相接。
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