[发明专利]垂直纳米线晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201910271828.3 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109841675B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 姚佳欣;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 钱湾湾;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种垂直纳米线晶体管的形成方法，包括：在衬底上沿垂直方向依次堆叠形成至少一个器件层，在形成每个器件层时，先形成具有通孔的第一隔离层，然后在通孔中形成第一源漏区，在第一源漏区上形成沟道区，以及在沟道区上形成第二源漏区，其中，环绕沟道区形成栅堆叠，环绕第二源漏区形成第二隔离层，如此，通过先隔离再形成沟道的方式，使得通过该方法形成的垂直纳米线晶体管具有优秀的器件隔离能力，降低了垂直纳米线晶体管的寄生效应和漏电程度，提高了垂直纳米线晶体管性能，并且，该方法能在垂直方向大规模集成，有利于减小版图面积，提高垂直纳米线晶体管的集成度。本申请还公开了对应的垂直纳米线晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 纳米 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直纳米线晶体管的形成方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上沿垂直方向依次堆叠形成至少一个器件层；每个所述器件层的形成方法包括：形成具有通孔的第一隔离层；在所述通孔中形成第一源漏区；在所述第一源漏区上形成沟道区，在所述沟道区上形成第二源漏区；以及环绕所述沟道区形成栅堆叠，环绕所述第二源漏区形成第二隔离层。
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