[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910284570.0 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111816710A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 马瑞吉;温晋炀;王黎;程凯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，其包括埋设介电层、第一栅极结构、第二栅极结构、第一源/漏极区、第二源/漏极区、第一接触结构和第二接触结构。其中，第一栅极结构和第二栅极结构分别设置于埋设介电层的前侧和背侧，第一源/漏极区和第二源/漏极区会被设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间，第一接触结构会被设置于埋设介电层的前侧且电耦合至第一源/漏极区，第二接触结构设置于埋设介电层的背侧且电耦合至第二源/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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