[发明专利]一种感光器件、TFT阵列基板及其显示面板在审
申请号: | 201910287732.6 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN110112138A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 卢马才;刘念 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种感光器件,包括第一氧化物薄膜晶体管和第二氧化物薄膜晶体管,其中所述第一氧化物薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二氧化物薄膜晶体管的栅极。其中本发明涉及的所述感光器件,采用多层级设置的氧化物薄膜晶体管结构设置,可以大幅度提升其整体对环境光的响应幅度,突破单个薄膜晶体管对光响应较小而限制其作为可见光侦测元器件应用的限制,从而使得本发明涉及的所述感光器件能够实现对环境光的侦测,扩展了其可应用的范围。 | ||
搜索关键词: | 氧化物薄膜晶体管 感光器件 环境光 侦测 可见光 单个薄膜 电性连接 结构设置 显示面板 多层级 响应 晶体管 元器件 漏极 应用 | ||
【主权项】:
1.一种感光器件;其特征在于,包括第一氧化物薄膜晶体管和第二氧化物薄膜晶体管;其中所述第一氧化物薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二氧化物薄膜晶体管的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的