[发明专利]用于执行光学邻近校正的方法和使用其制造掩模的方法在审
| 申请号： | 201910293597.6 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110879507A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 崔南柯;郑文奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 朱志玲;于硕 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法和使用其制造掩模的方法。提供一种用于执行OPC的方法以及通过使用OPC制造掩模的方法，所述执行OPC的方法通过有效地反映掩模形貌效应或图案的边缘之间的耦合效应来提高掩模图像的精确度。用于执行OPC的方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘；提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对；针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘；通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像；通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 执行 光学 邻近 校正 方法 使用 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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