[发明专利]一种免水冷偏流板的制备方法在审
| 申请号： | 201910293953.4 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN109879672A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 田秀梅;张博 | 申请（专利权）人： | 苏州赛力菲陶纤有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种免水冷偏流板的制备方法，包括以下步骤：以碳纤维为穿刺纤维对碳化硅层叠布进行Z向立体穿刺制得碳化硅预制体，再以甲烷为裂解气通过化学气相沉积在预制体表面制备微碳界面，再在微碳界面层外以中分子量环硅烷和氢气为载气制备碳化硅界面层，最后以聚合物浸渍裂解，采用较高分子量环硅烷作前期浸渍溶液，再以不同配比的聚碳硅烷和纳米β‑碳化硅粉混合溶液作中间循环浸渍液，最后再以低分子量环硅烷进行封孔。相较现有技术，本发明的技术方案，创新性地使用了环硅烷制备第二界面，并采用环硅烷、聚碳硅烷和纳米β‑碳化硅粉不同配比溶液作浸渍液，可以有效提高复合材料密度，缩短生产周期，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 环硅烷 制备 聚碳硅烷 碳化硅粉 穿刺 界面层 偏流板 碳化硅 配比 水冷 微碳 浸渍 化学气相沉积 缩短生产周期 碳化硅预制体 高分子量环 表面制备 创新性地 低分子量 混合溶液 浸渍溶液 循环浸渍 复合材料 聚合物 氢气 层叠布 浸渍液 裂解气 碳纤维 预制体 甲烷 封孔 硅烷 裂解 载气 纤维 | ||
【主权项】：
1.一种免水冷偏流板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)预制体织造：采用三代碳化硅纤维，通过二维织造成碳化硅层叠布，层叠后以碳纤维为穿刺纤维进行Z向立体穿刺，制备得到预制体；(2)界面层制备：先采用碳源气体裂解在预制体表面制备微碳界面，再通过中分子量环硅烷和氢气混合载气裂解制备微米碳化硅界面；(3)复合：将预制体进行陶瓷基复合，采用较高分子量环硅烷作前3次浸渍溶液，再以不同配比的聚碳硅烷和纳米β‑碳化硅粉混合溶液作中间循环浸渍液，每次浸渍、烘干后升温至1000℃～1300℃进行陶瓷化；(4)封孔：采用化学气相沉积工艺，以低分子量环硅烷和氢气混合载气进行封孔；(5)连接：采用金刚石刀具进行螺纹加工，再将不同单元之间直接用陶瓷螺栓进行连接。
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