[发明专利]NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存有效
| 申请号： | 201910295421.4 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110187828B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李创锋;李嘉伦 | 申请（专利权）人： | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法和一种NAND闪存，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。本发明可以提高NAND闪存垃圾回收的效率。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 垃圾 回收 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存的垃圾回收方法，其特征在于，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。
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