[发明专利]LDMOS和其制作方法在审
| 申请号： | 201910299950.1 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111834221A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS和其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：在半导体基片上形成衬底区；衬底区包括第一区域；在第一区域内制作第一STI、第二STI、漂移区和中压p阱；在第一区域的上方形成氧化层；在氧化层的上方形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的上表面设置第一光胶层，第一光胶层包括第一透射区和第一阻挡区；第一阻挡区用于阻挡杂质离子穿过；通过第一透射区向漂移区高能量注入第一杂质离子，以形成第一n型掺杂区。本发明通过在LDMOS的漂移区中高能注入杂质离子减小了漂移区的导通电阻，并能够维持击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
