[发明专利]一种半导体相二硫化钼纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201910301948.3 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN109879321B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈润锋;王宏磊;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，包括如下步骤：(1)取二硫化钼粉末加热处理，向加热处理后的二硫化钼粉末中加入液氮，待液氮气化后再重复加热和加液氮步骤若干次；(2)将步骤(1)的产物与分散溶剂混合，获得第一混合溶液；(3)将步骤(2)的第一混合溶液进行水浴超声处理，获得第二混合溶液；(4)对步骤(3)得到的第二混合溶液进行离心处理，离心完成后取上层清液再次进行离心处理，离心完成后取上层清液，即可。本发明的方法制备得到的二硫化钼纳米片纯度高，制备效率高，尺寸超薄。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二硫化钼 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)取二硫化钼粉末加热处理，向加热处理后的二硫化钼粉末中加入液氮，待液氮气化后再重复加热和加液氮步骤若干次；(2)将步骤(1)的产物与分散溶剂混合，获得第一混合溶液；(3)将步骤(2)的第一混合溶液进行水浴超声处理，获得第二混合溶液；(4)对步骤(3)得到的第二混合溶液进行离心处理，离心完成后取上层清液再次进行离心处理，离心完成后取上层清液，即可。
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