[发明专利]一种钼掺杂片状二硒化钴/石墨烯复合电极材料的制备方法有效
申请号: | 201910305752.1 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN109962229B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 郑玉婴;张祥 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市闽*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: |
本发明属于复合电极材料制备技术领域,具体涉及一种钼掺杂片状CoSe |
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搜索关键词: | 一种 掺杂 片状 二硒化钴 石墨 复合 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于:所述的CoSe2/石墨烯复合电极以石墨烯为基底,在其表面均匀生长片状CoSe2,并通过离子交换反应获得钼掺杂,进一步提高电化学性能。
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