[发明专利]一种钼掺杂片状二硒化钴/石墨烯复合电极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910305752.1 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN109962229B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 郑玉婴;张祥 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市闽*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明属于复合电极材料制备技术领域,具体涉及一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法和应用。通过水热反应,以硝酸钴为钴源,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,一步反应得到CoSe2前驱体,再通过煅烧法,首先在熔融状态下将钼离子掺杂进入CoSe2前驱体内,接着通过硒蒸汽对前驱体进行硒化,同时将氧化石墨烯还原为石墨烯,得到钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料。本发明中所制备的电极材料将其组装成锂离子电池时,其所展现出的比电容高达996 mAh g‑1,可用于锂离子电池负极材料。
搜索关键词: 一种 掺杂 片状 二硒化钴 石墨 复合 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于:所述的CoSe2/石墨烯复合电极以石墨烯为基底,在其表面均匀生长片状CoSe2,并通过离子交换反应获得钼掺杂,进一步提高电化学性能。
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