[发明专利]晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法有效
| 申请号： | 201910307591.X | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110082177B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李毅峰;杨詠钧;郑义明;林丽娟;杨培华;谢忠诚 | 申请（专利权）人： | 宸鸿科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊;高珊 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市湖*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法其包括晶体电子元件样品制备，低电压下调整聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散至预设状态，并进一步将所述晶体电子元件样品进行角度倾斜，以对所述晶体电子元件样品基于设定条件进行加工，以减少所述晶体电子元件样品的辐照损伤。本发明所提供的方法可在不降低制样效率下实现辐照损伤层的消除或减弱，所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法还具有操作便捷、效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 电子元件 tem 过程 造成 辐照 损伤 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：其包括以下步骤：步骤S1，提供基于聚焦离子束系统获得置于一基底之上的晶体电子元件样品，所述晶体电子元件样品具有预设厚度；步骤S2，选用基底之上非样品区域，在低电压下将聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散调整至预设状态；步骤S3，将所述晶体电子元件样品进行角度倾斜，以对所述晶体电子元件样品基于设定条件进行加工，以减少所述晶体电子元件样品的辐照损伤。
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