[发明专利]复合薄膜晶体管和制造方法、阵列基板、显示面板和装置

摘要

本发明实施例提供了一种复合薄膜晶体管，包括：至少两个P型薄膜晶体管、至少一个第一N型薄膜晶体管和至少一个第二N型薄膜晶体管。P型薄膜晶体管的有源层为P型掺杂低温多晶硅，第二N型薄膜晶体管的有源层为金属氧化物。由于在本发明实施例的复合薄膜晶体管中包括了至少两个P型薄膜晶体管、至少一个第一N型薄膜晶体管和至少一个第二N型薄膜晶体管及其相应的连接关系，当栅极的电压为正电压时，该复合薄膜晶体管在关态下的漏电流极低，此时等效关态电流值极低；当栅极电压为负电压时，该复合薄膜晶体管处于等效开态的状态，使得该复合薄膜晶体管等价为一种低漏电流的P型薄膜晶体管。

主权项

1.一种复合薄膜晶体管，其特征在于，包括：至少两个P型薄膜晶体管、至少一个第一N型薄膜晶体管和至少一个第二N型薄膜晶体管；P型薄膜晶体管的有源层为P型掺杂低温多晶硅，第二N型薄膜晶体管的有源层为金属氧化物；两个P型薄膜晶体管的栅极和一个第一N型薄膜晶体管的栅极连接在一起，并与栅极信号输入端连接；其中一P型薄膜晶体管的漏极为复合薄膜晶体管的漏极，源极与第二N型薄膜晶体管的漏极连接，第二N型薄膜晶体管的源极为复合薄膜晶体管的源极；另一P型薄膜晶体管的源极与第一信号端连接，漏极与第一N型薄膜晶体管的源极连接，第一N型薄膜晶体管的漏极与第二信号端连接；第二N型薄膜晶体管的栅极与第一N型薄膜晶体管的源极连接。