[发明专利]用于钨的化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 201910312666.3 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110450044A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 何蔺蓁;蔡薇雯 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种用于化学机械抛光含钨衬底的方法，以降低腐蚀速率并抑制钨的凹陷和下层电介质的侵蚀。所述方法包括提供衬底；提供含有以下作为初始组分的抛光组合物：水；氧化剂；非离子聚丙烯酰胺；二羧酸；铁离子源；具有负ζ电位的胶态二氧化硅研磨剂；和任选地pH调节剂；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述衬底之间的界面处产生动态接触；和将所述抛光组合物分配到所述抛光垫与所述衬底之间的所述界面处或附近的所述抛光表面上；其中一些所述钨被抛光离开所述衬底、降低腐蚀速率、抑制所述钨的凹陷以及所述钨下层电介质的侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 电介质 抛光组合物 抛光表面 界面处 抛光垫 凹陷 下层 非离子聚丙烯酰胺 化学机械抛光垫 腐蚀 化学机械抛光 胶态二氧化硅 氧化剂 侵蚀 动态接触 铁离子源 二羧酸 研磨剂 抛光 分配 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光钨的方法，其包含：/n提供包含钨和电介质的衬底；/n提供包含以下作为初始组分的化学机械抛光组合物：/n水；/n氧化剂；/n非离子聚丙烯酰胺；/n具有负ζ电位的胶态二氧化硅研磨剂；/n二羧酸，/n铁(III)离子源；和，/n任选地，pH调节剂；/n提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；/n在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处产生动态接触；和/n将所述化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的所述界面处或附近的所述化学机械抛光垫的所述抛光表面上，以去除至少一些所述钨。/n
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