[发明专利]基片载置装置和基片载置方法在审
申请号: | 201910316575.7 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN110391168A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 牛丸浩二;糸永将司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种在载置台载置基片时,以水平的姿态载置基片的技术。载置台在表面形成有各自支承基片的多个突起,在该载置台载置基片时,由吸引孔对与载置与上述载置台的基片的、位于上述突起的上方的区域不同的区域进行了吸引的状态下,将基片吸附在载置台,之后减小吸引孔的吸引。因此,能够在消除了基片的翘曲的状态下将基片载置在载置台,并且能够抑制因较强地吸引晶片W的下表面而产生的基片的形变,能够将基片以水平的姿态载置在载置台。 | ||
搜索关键词: | 载置 载置台 吸引孔 突起 吸引 表面形成 载置装置 支承基片 下表面 形变 减小 晶片 翘曲 吸附 | ||
【主权项】:
1.一种基片载置装置,其特征在于,包括:能够载置基片的载置台;多个突起,其设置在所述载置台的表面,各自支承所述基片;吸引孔,其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口,用于吸引载置于所述载置台的基片的下表面;和控制部,其输出控制信号来执行:第一步骤,其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片,以将所述基片吸附在所述载置台;和第二步骤,其接着第一步骤,使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力,以将所述基片吸附在所述载置台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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