[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

一种三维半导体存储器件，可以包括：衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，所述电极结构包括依次堆叠在所述衬底的表面上并从所述单元阵列区域延伸到所述连接区域的多个栅电极；第一源极导电图案，所述第一源极导电图案在所述单元阵列区域上位于所述电极结构与所述衬底之间；以及单元垂直半导体图案和第一虚设垂直半导体图案，所述单元垂直半导体图案和所述第一虚设垂直半导体图案穿透所述电极结构和所述第一源极导电图案，并延伸到所述衬底中。所述单元垂直半导体图案可以接触所述第一源极导电图案。所述第一虚设垂直半导体图案可以与所述第一源极导电图案电绝缘。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，所述电极结构包括依次堆叠在所述衬底的表面上并沿第一方向从所述单元阵列区域延伸到所述连接区域的多个栅电极，所述第一方向平行于所述衬底的顶表面；第一源极导电图案，所述第一源极导电图案在所述单元阵列区域上位于所述电极结构与所述衬底之间；以及单元垂直半导体图案和第一虚设垂直半导体图案，所述单元垂直半导体图案和所述第一虚设垂直半导体图案位于所述单元阵列区域上，穿透所述电极结构和所述第一源极导电图案，并延伸到所述衬底中，其中，所述单元垂直半导体图案接触所述第一源极导电图案，并且其中，所述第一虚设垂直半导体图案与所述第一源极导电图案电绝缘。