[发明专利]静电放电防护元件在审
| 申请号： | 201910317056.2 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN111816651A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 洪慈忆 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电放电防护元件，包括：衬底、高压N阱区与高压P阱区。衬底具有第一区与第二区，第二区环绕所述第一区。高压N阱区配置于衬底上，高压P阱区配置于高压N阱区上。第一区配置于高压N阱区上，包括具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型且环绕第一掺杂区的第二掺杂区、具有第一导电型且环绕第二掺杂区的第三掺杂区。第二区配置于高压P阱区上，包括具有第二导电型的多个第四掺杂区与具有第一导电型的第五掺杂区。多个第四掺杂区间隔排列并环绕第一区，第五掺杂区环绕第一区与多个第四掺杂区中的每一个。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 元件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
