[发明专利]存储器电路、其操作方法及数据读取方法有效
| 申请号： | 201910319484.9 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110390981B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吕士濂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4094 | 分类号： | G11C11/4094;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 存储器电路包括第一字线、第一位线、第二位线、第一反相器、第二反相器，P型传输门晶体管和预充电电路。第一反相器耦接至第一存储节点。第二反相器耦接至所述第一存储节点和所述第一反相器。P型传输门晶体管耦接在所述第一存储节点和所述第一位线之间。P型传输门晶体管耦接至所述第一字线、所述第一反相器和所述第二反相器。预充电电路耦接至所述第一位线或所述第二位线。所述预充电电路配置为响应于第一信号，将所述第一位线或所述第二位线充电至预充电电压。所述预充电电压介于第一逻辑电平的电压和第二逻辑电平的电压之间。本发明的实施例还提供了存储器电路的操作方法及数据读取方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 操作方法 数据 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器电路，包括：第一字线；第一位线；第二位线；第一反相器，耦接至第一存储节点；第二反相器，耦接至所述第一存储节点和所述第一反相器；P型传输门晶体管，耦接在所述第一存储节点和所述第一位线之间，并且耦接至所述第一字线、所述第一反相器和所述第二反相器；以及预充电电路，耦接至所述第一位线或所述第二位线，所述预充电电路配置为响应于第一信号，将所述第一位线或所述第二位线充电至预充电电压，所述预充电电压介于第一逻辑电平的电压和第二逻辑电平的电压之间。
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