[发明专利]一种纳米线围栅器件的形成方法有效
| 申请号： | 201910320171.5 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110034015B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张青竹;张兆浩;姚佳欣;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种纳米线围栅器件及其形成方法，在衬底上形成第一鳍以及第一鳍上的介电层，第一鳍包括交替层叠的第一外延层和第二外延层，介电层暴露第一鳍的沟道区域，第二外延层在沟道区域的侧壁表面与第二外延层在沟道区域的中央位置的掺杂浓度不同，例如第二外延层的侧壁表面的掺杂浓度高于中央位置，或者低于中央位置，去除沟道区域的第一外延层后，可以将沟道区域的第二外延层作为纳米线，形成包围纳米线的栅极，这样纳米线在不同位置的掺杂浓度不同，从而可以调整纳米线周围的栅极的不均匀的厚度带来的不均匀的开启电压，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 线围栅 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线围栅器件的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一鳍以及所述第一鳍上的介电层，所述第一鳍包括交替层叠的第一外延层和第二外延层；所述介电层暴露所述第一鳍的沟道区域；所述第二外延层在沟道区域的侧壁表面与所述第二外延层在沟道区域的中央位置掺杂浓度不同；去除所述沟道区域的第一外延层，将所述沟道区域的第二外延层作为纳米线；形成包围所述纳米线的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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