[发明专利]一种阵列基板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910320225.8 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN110071123A 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 李朝 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种阵列基板及其制备方法,阵列基板包括:基底层、设置在基底层上具有源极和漏极的源漏极层、设置在所述源漏极层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的像素电极层,其中所述平坦层上设置有第一过孔;其特征在于,所述漏极上设置有一开孔,所述开孔与所述第一过孔上下相通,所述像素电极层通过所述第一过孔以及所述开孔与所述漏极连接。通过在所述漏极中间设置所述开孔,所述像素电极层不止底部与所述漏极连接,所述像素电极层侧部分侧壁亦可通过所述开孔与所述漏极相连,可以有效的增大所述漏极与所述像素电极的接触面积,降低接触电阻,利于导通,亦可以有效降低因所述漏极表面氧化或有机光阻残留引起的接触不良,提高器件特性。
搜索关键词: 漏极 开孔 像素电极层 阵列基板 平坦层 基底层 源漏极 制备 降低接触电阻 表面氧化 接触不良 器件特性 上下相通 像素电极 中间设置 侧壁 导通 源极 残留
【主权项】:
1.一种阵列基板,包括:基底层、设置在基底层上具有源极和漏极的源漏极层、设置在所述源漏极层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的像素电极层,其中所述平坦层上设置有第一过孔;其特征在于,所述漏极上设置有一开孔,所述开孔与所述第一过孔上下相通,所述像素电极层通过所述第一过孔以及所述开孔与所述漏极连接。
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