[发明专利]超薄紫外发光器件及其制备方法

摘要

本申请提供了一种超薄紫外发光器件及其制备方法，通过在第一衬底上制备形成半导体层、P型金属层以及阻挡层，并制作形成N型电极和绝缘层，进而通过连接层与第二衬底键合连接。第二衬底可作为后续制作的支撑结构，方便进行第一衬底的去除等工艺，在将第二衬底去除后，可以得到厚度较薄的紫外发光器件。器件制作过程中通过键合第二衬底，使去除第一衬底后的器件具有一定厚度，器件出现裂片和蜷曲的概率降低，可以得到完整、平整的器件。同时，第二衬底可回收利用，提升物料利用率，降低生产成本。制备得到的器件厚度较薄，增大了器件的出光角度，提高了出光效率，增加了发光光强。

主权项

1.一种超薄紫外发光器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底一侧制作半导体层，所述半导体层包括依次制作的U型氮化物半导体层、N型氮化物半导体层、多量子阱层以及P型氮化物半导体层；在所述半导体层背离所述第一衬底一侧制作P型金属层；基于所述P型金属层制作阻挡层将所述P型金属层的表面和侧面覆盖，以包覆所述P型金属层；基于所述半导体层制作形成将所述N型氮化物半导体层暴露的接触孔；在所述接触孔中制作与所述N型氮化物半导体层连接的N型电极；制作绝缘层，所述绝缘层覆盖所述阻挡层、N型电极以及所述N型电极与所述半导体层之间的间隙；去除所述绝缘层位于所述N型电极表面的部分，形成暴露所述N型电极的电极孔；基于所述绝缘层和电极孔制作与所述N型电极连接的连接层；基于所述连接层键合连接第二衬底；去除所述第一衬底；制作用于形成多个芯片单元的划片槽，并制作用于形成P型电极的P型电极区域；对所述U型氮化物半导体层的表面进行粗化；在所述P型电极区域中制作与所述P型金属层连接的P型电极；去除所述第二衬底，并基于所述划片槽分割形成多个芯片单元，完成所述超薄紫外发光器件的制备。