[发明专利]一种SRAM输出路径时序测试电路及测试方法有效
申请号: | 201910329460.1 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN109994144B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 朱建银;张吉利;周俊;林福江;马建强 | 申请(专利权)人: | 江苏科大亨芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/10 | 分类号: | G11C29/10;G11C29/14 |
代理公司: | 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277 | 代理人: | 马小慧 |
地址: | 215000 江苏省苏州市吴江区松*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种SRAM输出路径时序测试电路及测试方法,该SRAM输出路径时序测试电路包括诱导DFF、TDF控制电路、待测SRAM、输入二路选择器MUX、输出二路选择器MUX、时钟控制模块、EDA工具,TDF控制电路包括监测电路、SRAM读写控制电路、输入mux切换控制电路和输出mux切换控制电路,SRAM输入侧DFF和SRAM读写控制电路均通过输入二路选择器MUX与SRAM输入端连接,输入mux切换控制电路与输入二路选择器MUX连接,诱导DFF输出端和SRAM输出端通过输出二路选择器与SRAM输出侧DFF连接,输出mux切换控制电路与输出二路选择器MUX连接。本发明的SRAM输出路径时序测试电路及方法可以测试SRAM的输出路径output path的TDF,增加测试覆盖率,从而保证芯片的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 sram 输出 路径 时序 测试 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SRAM输出路径时序测试电路,其特征在于:包括诱导DFF、TDF控制电路、待测SRAM、输入二路选择器MUX、输出二路选择器MUX、时钟控制模块、EDA工具,所述TDF控制电路包括监测电路、SRAM读写控制电路、输入mux切换控制电路和输出mux切换控制电路,所述SRAM输入侧DFF和SRAM读写控制电路均通过输入二路选择器MUX与SRAM输入端连接,所述输入mux切换控制电路与输入二路选择器MUX连接,所述诱导DFF输出端和SRAM输出端通过输出二路选择器与SRAM输出侧DFF连接,所述输出mux切换控制电路与输出二路选择器MUX连接,所述待测SRAM输入侧DFF、诱导DFF和待测SRAM输出侧DFF串成扫描链scan chain,所述EDA工具用于产生扫描使能信号Scan enable以及测试pattern,所述时钟控制模块OCC用于将测试pattern输入扫描链scan chain;其中,在输入期间,扫描使能信号Scan enable为1,输入结束后,扫描使能信号Scan enable为0,在所述时钟控制模块OCC产生两个连续的function clock pulse后,扫描使能信号Scan enable变为1。
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