[发明专利]一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法有效
| 申请号： | 201910329901.8 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN109999881B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 温翠莲;李瑞峰;张致远;萨百晟;白诺楠;彭建邦 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J37/08 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法在含氮气氛下合成尺寸均匀的N掺杂第Ⅲ主族硫属化物薄片，在反应温度下保持10‑20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭通入氩气与氨气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄片，制备工艺简单，可规模化量产，有望应用于光催化领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交相 主族硫属化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物，其特征在于：采用化学气相沉积法制备得到掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物，其为氩气气氛下生成N掺杂的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种。
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