[发明专利]一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池

摘要

本发明公开了一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括n型硅衬底，n型硅衬底顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层、氧化钼空穴选择层、第一透明导电氧化物层、第一电极层、第二透明导电氧化物层和第二电极层，n型硅衬底底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层、n型重掺非晶硅层、第三透明导电氧化物层、第三电极层、第四透明导电氧化物层和第四电极层，第一电极层包括若干截面为倒三角形的金属栅线，第三电极层包括若干截面为三角形的金属栅线，第二电极层和第四电极层均包括若干截面为矩形的金属栅线，本发明具有结构简单、制造难度低、电池效率和短路电流都比较高的优点。

主权项

1.一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，包括n型硅衬底(1)，其特征在于，n型硅衬底(1)顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层(2)、氧化钼空穴选择层(3)、第一透明导电氧化物层(4)、第一电极层(5)、第二透明导电氧化物层(6)和第二电极层(7)，n型硅衬底(1)底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层(8)、n型重掺非晶硅层(9)、第三透明导电氧化物层(10)、第三电极层(11)、第四透明导电氧化物层(12)和第四电极层(13)，第一电极层(5)包括若干截面为倒三角形的间隔布置的金属栅线A，第三电极层(11)包括若干截面为三角形的间隔布置的金属栅线A，第二电极层(7)和第四电极层(13)均包括若干截面为矩形的间隔布置的金属栅线B，金属栅线B与金属栅线A的位置一一对应。