[发明专利]芯片制造方法和装置有效
| 申请号： | 201910332872.0 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110335928B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 胡弃疾;康建;杨天鹏;杨建国;卜浩礼 | 申请（专利权）人： | 江西圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;刘芳 |
| 地址： | 337000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种芯片制造方法和装置。本发明提供的芯片制造方法包括：对外延片进行第一处理；对第一处理后的外延片上的ITO薄膜进行等离子体清洗，获得清洗后的ITO薄膜；对清洗后的ITO薄膜进行熔合处理，获得ITO合金；根据获得ITO合金的外延片，制造芯片。实现了清除合成的ITO中杂质的目的，提高ITO结晶的质量。解决了因对含有杂质的ITO薄膜进行熔合而降低熔合后的ITO结晶的质量的问题以及芯片质量差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种芯片制造方法，其特征在于，包括：对外延片进行第一处理，所述第一处理包括：蒸镀氧化铟锡ITO前清洗、蒸镀ITO透明导电层、ITO光刻、ITO透明导电层图形化、ITO图形化后去胶、干法刻蚀技术ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、ICP刻蚀后去胶；对第一处理后的外延片上的ITO薄膜进行等离子体清洗，获得清洗后的ITO薄膜；对清洗后的ITO薄膜进行熔合处理，获得ITO合金；根据获得ITO合金的外延片，制造芯片。
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