[发明专利]气体供给管的清洁方法和处理系统在审
| 申请号： | 201910335044.2 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110400735A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 松田梨沙子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/455;C23C16/513;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供气体供给管的清洁方法和处理系统。气体供给管的清洁方法包括覆膜形成工序和去除工序。在覆膜形成工序中，向气体供给管内供给含有第一化合物的第一气体和含有第二化合物的第二气体，将气体供给管的温度控制为第一温度，由此通过第一化合物与第二化合物的聚合在气体供给管的内壁形成化合物的覆膜。第一温度为使第一化合物与第二化合物聚合的温度。在去除工序中，在利用经由形成有覆膜的气体供给管供给至处理腔室内的处理气体在腔室内对被处理体进行处理之后，将气体供给管的温度控制为使覆膜解聚的第二温度，来将覆膜去除。第一化合物为异氰酸酯，第二化合物为胺或具有羟基的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 气体供给管 覆膜 第二化合物 第一化合物 去除 处理系统 形成工序 清洁 聚合 室内 被处理体 处理气体 异氰酸酯 处理腔 解聚 内壁 羟基 | ||
【主权项】：
1.一种气体供给管的清洁方法，其特征在于，包括以下工序：覆膜形成工序，在向气体供给管内供给含有第一化合物的第一气体和含有第二化合物的第二气体的状态下，将所述气体供给管的温度控制为使所述第一化合物与所述第二化合物聚合的第一温度，由此通过所述聚合在所述气体供给管的内壁形成化合物的覆膜；以及去除工序，在利用经由形成有所述覆膜的所述气体供给管供给至处理腔室内的处理气体对所述腔室内的被处理体进行规定的处理之后，将所述气体供给管的温度控制为使所述覆膜解聚的第二温度，由此将所述覆膜去除，其中，所述第一化合物为异氰酸酯，所述第二化合物为胺或具有羟基的化合物。
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