[发明专利]用于三维存储器元件的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910336748.1 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111769112B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 钟曜安;裘元杰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于三维存储器元件的半导体结构及其制造方法。在制造方法中，使用清洁等离子体来清除因狭缝刻蚀而在衬底浅层中形成的杂质掺杂区，再形成导电插塞于狭缝中，以减少导电插塞和衬底间的接触电阻。所形成的导电插塞底部具有缩小的颈部结构和再增大的底部结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 存储器 元件 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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