[发明专利]垂直结构条形Micro-LED的制备方法及转印方法在审
| 申请号： | 201910341832.2 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110034212A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 王惟彪;赵永周;梁静秋;陶金;李阳;王家先;吕金光;秦余欣;王浩冰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62;H01L21/78 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 朱红玲 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 垂直结构条形Micro‑LED的制备方法及转印方法，涉及显示器制备技术领域，解决现有要求机械手能够长时间连续稳定工作，存在难以精确对准、产品效率低下且成本高昂等问题。该方法将外延片的外延层和提供的透明导电基底键合，去除外延片的生长衬底，随后将透明导电基底作为公共N电极，并在外延层上单独电镀并刻蚀出每个Micro‑LED的P电极，利用干法刻蚀或湿法腐蚀形成隔离沟槽，并填充隔离沟槽后利用ICP刻蚀制作出条形Micro‑LED芯片，完成垂直结构条形Micro‑LED的制作。制作出条形Micro‑LED后，利用提供的临时载体将制作的条形Micro‑LED转印到具有电极结构的目标基板上，再去除临时载体，完成条形Micro‑LED的转印。本发明方法转印效果更好、更易于实现规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 转印 垂直结构 临时载体 透明导电 外延层 外延片 去除 制备 填充隔离沟槽 显示器制备 产品效率 电极结构 干法刻蚀 隔离沟槽 规模生产 基底键合 目标基板 湿法腐蚀 时间连续 转印效果 机械手 电镀 衬底 基底 刻蚀 制作 对准 生长 | ||
【主权项】：
1.垂直结构条形Micro‑LED的制备方法，其特征是：该方法由以下步骤实现：步骤一、提供外延片和透明导电基底；所述外延片包括生长衬底和外延层，所述外延层的第二表面位于生长衬底的表面；步骤二、将所述外延层的第一表面与透明导电基底键合，制作出公共电极N电极；步骤三、采用低能激光剥离外延片的生长衬底，在所述外延层的第二表面上制作金属层，并对所述金属层进行刻蚀，获得多个P电极；步骤四、在所述外延层的第二表面刻蚀隔离沟槽，并对所述隔离沟槽进行填充，制作出多个垂直结构的Micro‑LED芯片；步骤五、沿行方向或列方向对所述多个垂直结构的Micro‑LED芯片外围进行包围刻蚀，获得垂直结构的条形Micro‑LED芯片。
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