[发明专利]半导体发光装置在审
| 申请号： | 201910345169.3 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110416378A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 金起范;尹柱宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置包括：发光结构，其具有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；以及反射电极结构，其位于所述透明电极层上。所述反射电极结构包括：透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且具有绝缘图案，所述绝缘图案的侧面的一部分是敞开的，并且所述透明电极层的接触区由所述绝缘图案之间的区限定；气隙，其位于所述透明电极层和所述绝缘图案之间，所述气隙在所述绝缘图案的侧面的敞开部分中延伸；以及反射电极层，其位于所述绝缘图案上以覆盖所述绝缘图案的敞开部分，所述反射电极层连接至所述透明电极层的接触区。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘图案 透明电极层 导电类型半导体层 半导体发光装置 反射电极结构 反射电极层 接触区 敞开 气隙 第一导电类型 透光绝缘层 半导体层 发光结构 侧面 区限定 源层 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；以及反射电极结构，其位于所述透明电极层上，所述反射电极结构包括：透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且包括多个绝缘图案，所述多个绝缘图案的侧面的一部分是敞开的，并且所述透明电极层的接触区由所述多个绝缘图案之间的区限定；多个气隙，其分别位于所述透明电极层和所述多个绝缘图案之间，所述多个气隙在所述多个绝缘图案的侧面的敞开部分中延伸；以及反射电极层，其位于所述多个绝缘图案上以覆盖所述多个绝缘图案的侧面的敞开部分，所述反射电极层连接至所述透明电极层的接触区。
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