[发明专利]半导体发光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910348405.7 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110010738A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;李培双;刘德意 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;陈明鑫 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光元件及其制造方法。所述半导体发光元件，包括：发光结构，其包括从下方起依次层叠的第一型半导体层、活性层、第二型半导体层，具有贯通所述活性层和所述第二型半导体层而露出所述第一型半导体层的电极孔；第二型电极，其与所述第二型半导体层电气连接；第一型电极，其通过所述电极孔而与所述第一型半导体层电气连接；第一型及第二型电极为指型电极，为了切断电流从第一型电极和第二型电极流入活性层而在其下方配置有第一绝缘膜和第二绝缘膜。本发明的半导体发光元件结构，能够扩大半导体发光元件的发光区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体发光元件 电极 第二型半导体层 第一型半导体层 活性层 电气连接 电极孔 绝缘膜 发光结构 发光区域 依次层叠 指型 制造 贯通 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：一发光结构，包括从下方起依次层叠的第一型半导体层、活性层、第二型半导体层，具有贯通所述活性层和所述第二型半导体层而露出所述第一型半导体层的电极孔；一通过所述电极孔而与所述第一型半导体层电气连接的第一型电极；一与所述第二型半导体层电气连接的第二型电极；及一在所述电极孔的侧壁和所述第二半导体层上设置的第一绝缘膜，使得所述第一型电极与所述活性层及所述第二半导体层绝缘。
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