[发明专利]一种ITO退火工艺

摘要

本发明公开了一种ITO退火工艺。所述ITO退火工艺包括：S11、将待退火工件固定于载台上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件远离所述载台的一侧；S12、对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，所述第一表面为所述ITO薄膜远离所述载台的表面；S13、调节所述光斑的尺寸，使所述光斑的直径等于第一线段的长度，所述第一线段为穿过所述第一表面的几何中心且两端均位于所述第一表面边缘上的多条线段中长度最短的线段；S14、对所述ITO薄膜上所述光斑所在位置处进行预设时长的曝光。本发明实施例提供的技术方案，使得ITO薄膜整个待退火区域能够同时进行退火，减少了ITO薄膜的退火时长，提高了ITO薄膜的退火产率。