[发明专利]一种薄膜晶体管结构在审
| 申请号： | 201910351411.8 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110120427A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈书志 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：玻璃基板；第一金属导电层；栅极绝缘层；a‑Si:H层；n+a‑Si:H层；第二金属导电层；钝化层；氧化铟锡层；其中所述第二金属导电层在所述玻璃基板上的投影与所述第一金属导电层在所述玻璃基板上的投影没有重叠，从而减小了寄生电容(Cgd)，寄生电容下降可以改善贯通电压效应并改善面板的画质以及提升面板的显示亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属导电层 玻璃基板 薄膜晶体管 寄生电容 投影 薄膜晶体管结构 氧化铟锡层 栅极绝缘层 电压效应 钝化层 画质 减小 贯通 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：玻璃基板；第一金属导电层，设置在所述玻璃基板上方；栅极绝缘层，覆盖在所述第一金属导电层上方；a‑Si:H层，设置在所述栅极绝缘层上方；n+a‑Si:H层，设置在所述a‑Si:H层的上方；第二金属导电层，设置在所述n+a‑Si:H层上；钝化层，覆盖在所述第二金属导电层以及栅极绝缘层上；以及氧化铟锡层，设置在所述钝化层上，所述氧化铟锡层部分覆盖所述钝化层；其中所述第二金属导电层在所述玻璃基板上的投影与所述第一金属导电层在所述玻璃基板上的投影没有重叠。
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