[发明专利]多层存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201910355516.0 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110176265B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 金允哲;吴振勇;阮庆仲;梅文龙 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种多层存储器及其制作方法。多层存储器包括：多个存储层的堆叠结构，存储层具有第一边缘区域和第二边缘区域；第一电路层，位于堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；字线驱动器通过驱动线与存储层连接；第m个存储层的驱动线，包括：第一部分，连接第m个存储层的第一边缘区域和字线驱动器；第二部分，与字线驱动连接；第三部分，平行于第一部分并穿透第二电路层，其中，第二电路层位于堆叠结构的第二端面，第二端面与第一端面相对设置；第四部分，位于第二电路层上；第五部分，与第四部分连接，并穿透第二电路层；第六部分，与第五部分连接，平行于第四部分；第七部分，分别与第六部分及第m个存储层的第二边缘区连接。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层存储器，其特征在于，包括：多个存储层的堆叠结构，其中，所述存储层具有中间区域及位于边缘的第一边缘区域和第二边缘区域；第n+1个存储层的面积大于第n个存储层的面积，且第n+1个存储层堆叠在第n个存储层的中间区域；第一电路层，位于所述堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；所述字线驱动器通过驱动线与所述存储层连接；其中，第m个存储层的驱动线，包括：第一部分，分别连接第m个存储层的第一边缘区域和所述字线驱动器，用于供所述字线驱动器从所述第一边缘区域向所述第m个存储层的存储单元提供字线驱动；m和n为小于所述存储层总层数的正整数；第二部分，与所述字线驱动连接；第三部分，平行于所述第一部分并穿透第二电路层，其中，第二电路层位于所述堆叠结构的第二端面，所述第二端面与所述第一端面相对设置；第四部分，位于所述第二电路层上；第五部分，与所述第四部分连接，并穿透所述第二电路层；第六部分，与所述第五部分连接，平行于所述第四部分；第七部分，分别与所述第五部分及第m个所述存储层的第二边缘区连接，其中，所述第二部分至所述第七部分，用于所述字线驱动器从所述第二边缘向所述第m个存储层的存储单元提供字线驱动。
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