[发明专利]一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NOR flash存储器在审
| 申请号： | 201910357011.8 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111863083A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘言言;许梦;付永庆 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：接收编程操作指令，判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值，若阈值电压大于预设值，则对阈值电压大于预设值的待编程存储单元执行低压编程操作。本发明在执行编程操作时，对大于预设值的存储单元执行低压编程操作，使得该存储单元执行编程操作后不会被编程到很高的阈值电压，低压编程操作后存储单元的阈值电压相对更加集中，并且因为低压编程操作后存储单元的阈值电压相较于正常编程操作后存储单元的阈值电压低，其执行擦除操作就会比正常编程操作后存储单元快一些，从整体上提高NOR flash存储器的编程性能和擦除性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nor flash 存储器 编程 方法 装置 以及 | ||
【主权项】：
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